在復(fù)雜的芯片生產(chǎn)工藝中，硫酸也是必不可少的試劑。

 

       硅圓片在加工過(guò)程中，常常會(huì)被不同的雜質(zhì)所沾污，硅圓片上不溶性固體顆粒或金屬離子可能在微細(xì)電路之間導(dǎo)電，使之短路。鈉、鈣等堿金屬雜質(zhì)也會(huì)融進(jìn)氧化膜中，導(dǎo)致耐絕緣電壓下降。硼、磷、砷等雜質(zhì)離子會(huì)影響擴(kuò)散劑的擴(kuò)散效果，塵埃顆粒會(huì)造成光刻缺陷，氧化層不平整，影響制版質(zhì)量和等離子蝕刻工藝。

 

       為了獲得高質(zhì)量集成電路芯片，必須除去各種沾污物，這就需要使用非常純凈的化學(xué)試劑來(lái)清洗硅圓片。硫酸和過(guò)氧化氫可以按比例組成有強(qiáng)氧化性的SPM清洗液，將有機(jī)物氧化成CO2和H2O。它還可用于光刻過(guò)程中的濕法蝕刻去膠，借助于化學(xué)反應(yīng)從硅圓片的表面除去固體物質(zhì)，導(dǎo)致固體表面全部或局部溶解。

 

       硫酸在此處的作用是消除晶圓上的各種雜質(zhì)，那么其本身就絕對(duì)不能做為污染源再引入雜質(zhì)，因此該工藝對(duì)于硫酸本身純凈度的要求也相當(dāng)高。1975年，美國(guó)的國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)（Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI）首先為微電子工業(yè)配套的電子級(jí)化學(xué)品制定了統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)（SEMI標(biāo)準(zhǔn)）；1978年，德國(guó)的默克公司也制定了MOS標(biāo)準(zhǔn)。兩種標(biāo)準(zhǔn)對(duì)電子級(jí)化學(xué)品中金屬雜質(zhì)和微粒（塵埃）的要求各有側(cè)重，分別適用于不同級(jí)別IC的制作要求。到目前為止，中國(guó)還沒(méi)有電子級(jí)硫酸國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，現(xiàn)行的硫酸標(biāo)準(zhǔn)有GB/T 534-2014《工業(yè)硫酸》、HG/T 4559-2013《超凈高純硫酸》和HG/T 2692-2015《蓄電池用硫酸》均不適合電子級(jí)硫酸產(chǎn)品，中國(guó)的試劑企業(yè)一般將電子級(jí)硫酸劃分為低塵高純級(jí)、MOS級(jí)和BV-III級(jí)，其中BV-III級(jí)電子級(jí)硫酸的單項(xiàng)金屬雜質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)不超過(guò)1×10-8，相當(dāng)于SEMI-C7標(biāo)準(zhǔn)。

 

       瑞士萬(wàn)通智能離子色譜系統(tǒng)和伏安極譜儀可以針對(duì)電子級(jí)硫酸中多種雜質(zhì)進(jìn)行檢測(cè)。瑞士制造，瑞士品質(zhì)，滿足您的各種檢測(cè)需求。

 

       離子色譜法

       測(cè)定電子級(jí)硫酸中F-含量

       有機(jī)酸排斥柱可以分離F-，還可以不受極端PH的影響，而其它常規(guī)陰離子在排斥柱上無(wú)保留。

 

       離子色譜法

       測(cè)定電子級(jí)硫酸中陽(yáng)離子含量

       本實(shí)驗(yàn)用雙閥切換結(jié)合氫氧根離子固相萃取柱（IC-OH）技術(shù)中和濃硫酸待測(cè)液中的氫離子。

 

       分離柱：METROSEP C4-150

       淋洗液：1.7mM HNO3+0.7mM 吡啶二羧酸的超純水溶液

       六通閥A：定量環(huán)1.5μL，六通閥B：定量環(huán)100μL

       流速：0.9mL/min。多思加液器(Dosino)加液速度1.0mL/min，把1.5μL 

 

       樣品從閥A通過(guò)IC-OH柱轉(zhuǎn)移到閥B的體積為0.3mL。

 

       伏安極譜法

       測(cè)定電子級(jí)硫酸中重金屬含量

       已知體積及質(zhì)量的樣品置于用硝酸浸泡過(guò)夜的燒杯中，然后用優(yōu)級(jí)純的氨水調(diào)節(jié)pH至7，所得樣品最后用超純水定容至100mL。